برای مشاهده اطلاعات هر دستگاه بر روی عنوان دستگاه مورد نظر کلیک نمایید.
VMS
آشنایی با دستگاه اندازه گیری خواص مغناطیسی VSM با پیشرفت تکنولوژی در زمینه مغناطیس و کاربردهای وسیع آن ها در زمینه صنعت، نیاز به ابزاری است که بتوان با استفاده از آن خواص مغناطیسی را بررسی کرد. دستگاه های مغناطیس سنج متفاوتی در این راستا وجود دارد که براساس میزان فرکانس جریان های عبوری به چند دسته تقسیم می شوند. دستگاه های مغناطیس سنج به روش های مختلف و در شرایط متفاوت دمایی، میدان مغناطیسی و جهت گیری نمونه، مغناطش یک نمونه از ماده با ابعاد مختلف را اندازه گیری می کنند. اساس کار دستگاه مغناطیس سنج VSM، قانون القای فارادی می باشد که با ارتعاش نمونه و اعمال میدان مغناطیسی به آن، باعث بوجود آمدن یک جریان القایی در سیم پیچ های تعبیه شده در دستگاه می شود که با مغناطش نمونه متناسب است. با انتقال این جریان القایی به کامپیوتر متصل به دستگاه و نمایش حلقه پسماند، مغناطش نمونه اندازه گیری می شود.
اسپاترینگ در فیزیک به پدیده‌ای گفته می‌شود که در آن پلاسمایی متشکل از ذرات/یون‌های پرانرژی با برخورد به سطح یک هدف جامد ذرات سطح را به بیرون پرتاب می‌‌کنند. این پدیده به طور طبیعی در فضای بیرونی موجب شکل دادن جهان و خوردگی فضاپیماها می‌شود. بر روی زمین، علم و صنعت از فرآیند اسپاترینگ در ایجاد یا حذف لایه‌های نازک نانومتری در کاربردهای متفاوت در اپتیک، الکترونیک و غیره استفاده می‌کند.
همچون سایر روش‌های رسوب‌دهی شیمیایی بخار (CVD)، رسوب‌دهی شیمیایی بخار به کمک پلاسما (PECVD) فرایندی برای لایه نشانی (رسوب دهی) فیلم‌های نازک از یک ماده در حالت گاز (بخار) بر روی یک بستر می‌باشد. در این فرآیند با کمک تشکیل پلاسما (بیشتر تحت عنوان پلاسمای سرد شناخته می‌شود) در محفظه لایه‌نشانی، دمای کلی برای انجام فرآیند پایین می‌آید (به اعمال دمایی کمتر از دمای فرآیندهای ترموشیمی معمول نیاز است). از طرفی برخلاف روش‌های رسوب‌دهی فیزیکی بخار PVD (شامل روش کندوپاش و نهشت یونی –Ion Plating-…)، در طی فرایند PECVD واکنش‌های شیمیایی انجام می‌پذیرند. پلاسما معمولا توسط تخلیه الکتریکی بین دو الکترود ایجاد می‌شود که فضای بین آنها با گازهای واکنش دهنده پر شده است. پلاسما می‌تواند با جریان مستقیم و یا با فرکانس رادیویی و یا جریان متناوب به وجود آید. از مهمترین کاربرد PECVD می‌توان به لایه نشانی مدارهای مجتمع و همچنین سطوح اپتوالکترونیکی (زمانی که استفاده از دمای بالا در راکتور ناممکن است) اشاره کرد.
آنالیز میکروسکوپ نیروی اتمی، (Atomic Force Microscope (AFM، نوعی میکروسکوپ روبشی با توانایی تصویربرداری سه بعدی از پستی بلندی‌های سطح (توپوگرافی سطحی) نمونه است که به‌خصوص در حوزه نانوساختارها مورد توجه است. این روش در مقایسه با آنالیز SEM، داری توانایی بیشتری در تعیین زبری سطوح نانومتری است. از کاربردهای دیگر آنالیز AFM، اندازه‌گیری ضخامت پوشش‌های نانومتری است. این میکروسکوپ توانایی تصویر برداری از کلیه سطوح از جمله سطوح غیر رسانا را نیز دارد و در دو حالت تماسی و غیر تماسی تصویر برداری می‌کند، در نتیجه برای درک ساختار سطحی یک نمونه توده‌ای نانوساختار مانند غشاها، لایه های نازک، قطعات الکتریکی لیتوگرافی شده، انجام آنالیز AFM بسیار تکنیک مناسبی است.
طیف سنجی رامان یک تکنیک طیف سنجی مولکولی است که کاربرد های متنوعی در زمینه های تحقیقاتی مختلف پیدا کرده است.در دستگاه طیف سنج رامان، یک پرتو نور لیزر به نمونه تابیده می‌شود و یک آشکارساز طول موج و شدت پرتو خروجی از نمونه را ثبت می‌کند. تفاوت بین طول موج برخورد کرده به نمونه و طول موج خارج شده از آن با هم کمی تفاوت دارد. این تفاوت بر اثر تاثیر پیوند بر انرژی نور ساطع شده است. از این رو با اندازه‌گیری تفاوت طول موج ورودی به نمونه و خروجی از آن می‌توان نوع پیوند‌های موجود در نمونه را مشخص کرد.
آنالیز رامان در آزمایشگاه تابان در طول موج 532 نانومتر صورت می پذیرد.